工艺平台
PROCESS PLATFORM
化合物半导体
● 第一代半导体材料是「硅」（Si）、「锗」（Ge），
● 第二代半导体是「砷化镓」（GaAs）和「磷化铟」（InP），
● 第三代半导体主流材料为「碳化硅」（SiC）和「氮化镓」（GaN）
与硅相比，化合物半导体有高频率、大功率等优异性能，在5G通信、新能源汽车、快充等领域有巨大的发展潜力。
极薄衬底
切割剥离技术
石墨载板衬底
极薄碳化硅外延技术
石墨/玻璃载板极薄碳化硅全工艺生产技术
极薄元件化镀，银烧结
双面散热模块技术
电子核心产业大趋势
● IT
● PC
● 互联网
1990-2005
● 手机（移动终端）
● 5G通讯
● 数据中心
2006-2020
● 电动化（含新能源汽车）
● 储能、电网
● AI（人工智能）/HPC（高性能计算）
2021-2035
核心半导体元件
● CPU（微处理器）
● DRAM（动态记忆体）
● MCU（微控制器）
1990-2005
● SOC（移动终端处理器）
● DRAM/NAND（快闪记忆体）
● RFIC（高频芯片）
2006-2020
● IGBT（绝缘栅双极型晶体管（硅基））
● SiC/GaN（碳化硅/氮化镓元件）
● 3DIC（3D立体芯片）
2021-2035
我们的优势
1 解决激光切割后薄片机械式剥离的难题。
2 键合在玻璃载板上的SiC薄片，可顺利制作研磨，抛光及清洗工艺（不受薄片工艺限制）。
3 可充分利用原片的厚度，最少每1000μm可生产6片以上的120μm SiC薄片。
4 传统切割法无法切薄小于350μm的SiC晶圆，且切割损耗大（约200μm）材料使用率低。
5 玻璃载板解键合后的SiC可顺利制作高温外延工艺（EPI）。
6 最后背面减薄及金属工艺可大辐减化，降低生产成本。
7 亦可大辐提升激光隐形切割及裂片工艺的生产效益。
● 同芯祺具有含以硅晶圆为键合载板的SiC和GaN等化合物半导体晶圆BGBM生产线，通过载板技术，实现超薄化合物半导体晶圆加工，降低材料成本提高生产效率。
