IGBT

IGBT：由BJT和MOSFET组成的复合器件，相比MOSFET，牺牲了一定开关速度，但导通损耗小，通态电流大，在高压、大电流的中大功率领域（电压 1200V-6500V）是主流产品。IGBT作为功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，具有高频率、高电压、大电流，易于开关等优良性能，被业界誉为功率变流装置的CPU，是电机驱动的核心，广泛应用于逆变器、变频器等，其应用领域非常广泛，小到家电、数码产品，大到航空航天、高铁等领域，新能源汽车、智能电网等新兴应用也会大量使用IGBT。