专利及Knowhow
PATENTS AND KNOWHOW
同芯成/同芯祺项目技术团队,皆为行业资深人员,深知知识产权与创新发明在高端技术产业的必要性;依国家知识产权公开信息,自2020年3月开始向国家知识产权局递交专利申请文件。截止2023年6月15日已累计申请166件国家专利,其中已取得发明专利证书31件,实用新型专利证书8件。专利技术内容涵盖硅基晶圆片背面减薄技术、载板应用技术、IGBT功率器件及深沟槽工艺整合技术、超薄晶圆制程工艺、化合物半导体工艺和封装测试应用技术等,技术内容基本覆盖半导体全产业链。
专利及Knowhow
无形资产已通过国家工信部评估
国家工信部分析评价
● 公司知识产权权属清晰、权利稳定、在中国专利侵权风险性低、在中国技术自由实施度高。
● 整体来看,目标公司在各技术环节上均进行了知识产权布局和保护,技术链条的知识产权覆盖较为完整。
技术先进性
工信部直属“国家工业信息安全发展研究中心”联合“工业和信息化部电子知识产权中心”,于2021年2月出具了《项目技术先进性评估报告》,其中摘录:
同芯成/同芯祺具备以下几大核心技术
1 Ultra Slim Wafer Technology(超薄晶圆技术)(8吋及12吋晶圆皆可薄到30µm以下 )同芯祺已开发完成硅晶圆极薄化及后续光刻离子植入、回火,金属整合技术,这是进入高阶MOSFET及IGBT和高阶化合物半导体功率元件技术的必要条件,目前国内其他公司的量产技术能力只在120µm。
2 Glass /Graphite Carrier Technology(玻璃/石墨载板技术)(含8及12吋),同芯祺已开发完成玻璃载板的制作Glue(粘著),Bonding(键合)及Debonding(脱离)的技术,可整合Ultra Slim Wafer,完成复杂的背面微影,离子植入、回火,金属溅镀等工程,且可整合先进切割及化学电镀、双面电镀工艺。目前国内其他公司不具备Glass Carrier整合的量产能力。
3 先进化学电解镀膜及整合之先进封装技术,为达成高信赖性之高阶MOSFET/IGBT产品,Cu Clip Packaging或Cu Wire Bonding成为必要的先进封装技术,因此,晶圆选择性电镀Ni/Pd/Au之制程成为关键技术。同芯祺已开发掌握8吋及12吋之量产技术,领先国内相关企业。
4 超细微切割道之先进切割工艺,同芯祺开发完成镭射及电浆整合切割工艺技术,且可结合整合Glass Carrier之技术使用于超薄晶圆(30µm),切割道宽度可微缩至5µm,相较竞争对手切割道宽度仍在50~60µm,可大幅提升每片晶圆之晶粒产出量5~10%。
5 先进的超薄激光剥离碳化硅及玻璃/石墨载板等技术与化合物半导体晶圆加工相结合,实现超薄化合物半导体晶圆的量产,大幅降低材料成本同时显著提高生产效率。